Si掺杂类型：

本征；不掺杂

Si厚度：

0.6 um +/- 0.05 um

Si电阻率：

> 100 ohm.cm

Micro-particle

density (for particles > 2 um)：

< 2/cm^2

Al2O3基片：

R plane with single flat

Al2O3边取：

One flat 32.5mm +/-2.5mm, at 45+/- 1 deg CCW fromon

Al2O3尺寸：

dia100 x 0.46 mm

TTV:

< 15 um

Bow:

< 20 um

Warp:

< 20 um

Flatness （TIR)

< 12 um

抛光情况：

单抛(正面外延抛光，背面光学级抛光，背面激光有激光标记）

备注：

可按照客户要求在C plane Al2O3上镀Si