化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。

密度：

5.765 g/cm3 ；

熔点：

937.4 ℃；

热传导性：

640；

掺杂物质：

不掺杂；掺Sb；掺In或Ga；

类型：

/；N；P；

电阻率

W.cm：

>35；0.05；0.05-0.1；

EPD：

< 4x103/cm2 < 4x103/cm2 < 4x103/cm2

常规尺寸：

晶体方向:，and± 0.5° 或特殊的方向；

标准抛光片尺寸:Ф1"x 0.3mm；Ф2"x0.5mm；

（Ra<5A，不化抛）

注：也可根据客户需求提供特殊尺寸和方向的基片

备注：

1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装