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| 性状： | 规格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向为、，特殊晶向也可以加工。磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。 适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。 |
| 质量标准： | 品种： 类型： 浓度（cm-3）： 迁移率(cm2/V.S)： 电阻率(?.cm)： 位错密度(cm-2)： Un-InP
>1700 ---- <1000 S-InP N 5*1017 >1700 ----- <1000 Zn-InP P 0.6*1018 >50 ------ <1000 Fe-InP N 107~108 >1700 >107 <1000 |
