参数

基底：二氧化硅

基底尺寸：10 mmx10 mm

MoSe2 面积：>10 μm2

应用
该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。