4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528090955 | Ag3Sb晶体 | -- | 大于20平方毫米 | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528090846 | Ag3Sb晶体 | -- | 大于10平方毫米 | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | Ag2Te晶体 材料名称 Name Ag2Te 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，热电材料，红外材料，离子导体 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶体结构 Crystal Structure monoclinic 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 难 Difficult |
| 质量标准： | 参考文献 1，Miyatani, Shin-ya. "Ionic Conduction in β-Ag2Te and β-Ag2Se." Journal of the Physical Society of Japan 14.8 (1959): 996-1002. 2，Tregouet, Y., and J. C. Bernede. "Silver movements in Ag2Te thin films: switching and memory effects." Thin Solid Films 57.1 (1979): 49-54. 3，Zhang, Wei, et al. "Topological Aspect and Quantum Magnetoresistance of β− Ag 2 Te." Physical review letters 106.15 (2011): 156808. |
