4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528091514 | AgInP2S6晶体 | 大于20平方毫米 | 5120元 | 咨询客服 | 3天 | |
| JD200528091438 | AgInP2S6晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name AgInP2S6 性质分类 Electrical properties
Semiconductor，Nonlinear Material，Ferroelectrics Material 禁带宽度 Bangap 1.147 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy |
| 质量标准： | 材料性质参考文献： 1, https://doi.org/10.1039/C7RA13519J Structural, electronic, vibration and elasticproperties of the layered AgInP2S6 semiconductingcrystal – DFT approach 2, https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4962956 Second-harmonic generation in quaternary atomically thin layered AgInP2S6 crystals |
