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AgInP2Se6晶体
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分子式: -- 分子量: --
货号 品名 规格 包装 单价 货期 库存
JD200528091803 AgInP2Se6晶体 -- 大于20平方毫米 5120元 咨询客服 3天
JD200528091724 AgInP2Se6晶体 -- 大于10平方毫米 3120元 咨询客服 3天
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性状: 材料名称

Name

AgInP2Se6

性质分类

Electrical   properties


拓扑材料,半导体,红外材料,非线性材料,铁电材料

禁带宽度

Bangap

0.622 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation


Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定,不需要特殊保存

Stable

质量标准: 参考文献:

A. Dziaugys, J. Banys, J. Macutkevic & Ju. Vysochanskii (2009) Dielectric Properties of New AgInP2Se6 Crystals, Ferroelectrics, 391:1, 151-157, DOI: 10.1080/00150190903004718