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货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
JD200528091803 | AgInP2Se6晶体 | -- | 大于20平方毫米 | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
JD200528091724 | AgInP2Se6晶体 | -- | 大于10平方毫米 | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
性状: | 材料名称 Name AgInP2Se6 性质分类 Electrical properties
禁带宽度 Bangap 0.622 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy Notice Stable |
质量标准: | 参考文献: A. Dziaugys, J. Banys, J. Macutkevic & Ju. Vysochanskii (2009) Dielectric Properties of New AgInP2Se6 Crystals, Ferroelectrics, 391:1, 151-157, DOI: 10.1080/00150190903004718 |