CuInP2Se6晶体_珈得尔化学试剂

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CuInP2Se6晶体

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Cas号：	--	M D L：	--
分子式：	--	分子量：	--

货号	品名	规格	包装	单价	货期	库存
JD200528094918	CuInP2Se6晶体	大于20平方毫米	--	0元	咨询客服	3天
JD200528094853	CuInP2Se6晶体	大于10平方毫米	--	3120元	咨询客服	3天

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性状：

材料名称

Name

CuInP2Se6

性质分类

Electrical properties

拓扑材料，半导体，红外材料，铁磁性材料

禁带宽度

Bangap

0.311 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation

易

Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定，不需要特殊保存

Stable

质量标准：

参考文献:

1, Vysochanskii, Yu M., et al. "Dielectric measurement study of lamellar CuInP2Se6: successive transitions towards a ferroelectric state via an incommensurate phase?." Solid state communications 115.1 (2000): 13-17.

2,Banys, J., et al. "Dielectric properties of ferroelectrics CuInP2Se6 and CuCrP2S6." Ferroelectrics 257.1 (2001): 163-168.

3, Liubachko, V., et al. "Anisotropic thermal properties and ferroelectric phase transitions in layered CuInP2S6 and CuInP2Se6 crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 111 (2017): 324-327.