4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528095927 | GaTe晶体 | 大于20平方毫米 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528095857 | GaTe晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 晶体大小： 5~10 mm 晶体种类： Semiconductor，拓扑材料，红外材料，热电材料 纯度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 禁带宽度： 0.8eV 保存事项 注意表面防氧化 |
| 质量标准： | 参考文献 1，Chitara, Basant, and Assaf Ya'akobovitz. "Elastic properties and breaking strengths of GaS, GaSe and GaTe nanosheets." Nanoscale 10.27 (2018): 13022-13027. 2，Antonius, Gabriel, and Steven G. Louie. "Optical properties of 2D monochalcogenides: single-layer GaSe and GaTe from first-principles calculations." Bulletin of the American Physical Society 62 (2017). 3，Bahuguna, Bhagwati Prasad, et al. "Hybrid functional calculations of electronic and thermoelectric properties of GaS, GaSe, and GaTe monolayers." Physical Chemistry Chemical Physics 20.45 (2018): 28575-28582. |
