4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528101114 | GeSb4Te7晶体 | 大于20平方毫米 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528100929 | GeSb4Te7晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name GeSb4Te7 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体,红外材料，相变材料，热电材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.269 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy |
| 质量标准： | 参考文献 1，Park, Jun-Woo, et al. "Optical properties of pseudobinary GeTe, Ge 2 Sb 2 Te 5, GeSb 2 Te 4, GeSb 4 Te 7, and Sb 2 Te 3 from ellipsometry and density functional theory." Physical Review B 80.11 (2009): 115209. 2，Frumar, M., et al. "Some physical properties of semiconducting GeSb4Te7 crystals." physica status solidi (a) 22.2 (1974): 535-541. 3， Fang, Jie, et al. "Thickness dependence of a giant nonlinear saturable absorption response in GeSb4Te7 thin films." Journal of Physics Communications 2.1 (2018): 015009. |
