In2P3S9晶体_珈得尔化学试剂

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In2P3S9晶体

别名：	--
Cas号：	--	M D L：	--
分子式：	--	分子量：	--

货号	品名	规格	包装	单价	货期	库存
JD200528102805	In2P3S9晶体	大于25平方毫米	--	3120元	咨询客服	3天
JD200528102747	In2P3S9晶体	大于10平方毫米	--	3120元	咨询客服	3天

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性状：

材料名称

Name

In2P3S9

性质分类

Electrical properties

半导体

Semiconductor
禁带宽度

Bangap

1.4 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation

易

Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定，不需要特殊保存

Stable

质量标准：

参考文献

Parthé, E., and B. Chabot. "Classification of structures with anionic tetrahedron complexes using valence-electron criteria." Acta Crystallographica Section B: Structural Science 46.1 (1990): 7-23.