Name

Nb2SiTe4

性质分类

Electrical   properties

半导体,红外材料，ferroelastic semiconductors
禁带宽度

Bangap

0.2 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation

易

Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定性较好，但需要避开水氧保存

1，Zhao, Mingxing, et al. "Nb2SiTe4: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response." ACS nano 13.9 (2019): 10705-10710.

2，Zhang, Ting, et al. "Two-dimensional ferroelastic semiconductors in Nb2SiTe4 and Nb2GeTe4 with promising electronic properties." The Journal of Physical Chemistry Letters (2019).

3，Fang, Wen-Yu, et al. "Nb 2 SiTe 4 and Nb 2 GeTe 4: Unexplored 2D Ternary Layered Tellurides with High Stability, Narrow Band Gap and High Electron Mobility." Journal of Electronic Materials 49.2 (2020): 959-968.