4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528111550 | Nb3GeTe6晶体 | 大于25平方毫米 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528111519 | Nb3GeTe6晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name
性质分类 Electrical properties
Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy Notice |
| 质量标准： | 参考文献 Monconduit, L., et al. "Short Te… ︁ Te bonding contacts in a new layered ternary telluride: Synthesis and crystal structure of 2D Nb3GexTe6 (x≃ 0.9)." Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 616.10 (1992): 177-182. Canadell, E., et al. "Importance of the interlayer Te... Te contacts on the electronic structure of the layered niobium germanium telluride Nb3Ge0. 9Te6." Inorganic Chemistry 32.1 (1993): 10-12. |
