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货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
JD200528113726 | NbTe4晶体 | 大于25平方毫米 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
JD200528113451 | NbTe4晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
性状: | 材料名称 Name NbTe4 性质分类 Electrical properties
Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy Notice Stable |
质量标准: | 参考文献 1,Eaglesham, D. J., et al. "Microstructural behaviour in the CDW states of NbTe4 and TaTe4; domains, discommensurations and superlattice symmetry." Journal of Physics C: Solid State Physics 18.1 (1985): 1. 2,Tadaki, S., et al. "Electrical properties of NbTe4 and TaTe4." Synthetic metals 38.2 (1990): 227-234. 3,Boswell, F. W., A. Prodan, and J. K. Brandon. "Charge-density waves in the quasi-one-dimensional compounds NbTe4 and TaTe4." Journal of Physics C: Solid State Physics 16.6 (1983): 1067. |