Name

Pb2Bi2Te5

性质分类

Electrical   properties

拓扑绝缘体，红外材料，相变材料，热电材料

Topological Insulators

禁带宽度

Bangap

0.186 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剥离难易程度

Degree   of difficulty for exfoliation

中

Medium

1，Silkin, I. V., et al. "Three-and two-dimensional topological insulators in Pb 2 Sb 2 Te 5, Pb 2 Bi 2 Te 5, and Pb 2 Bi 2 Se 5 layered compounds." JETP letters 94.3 (2011): 217.

2，Shelimova, L. E., et al. "Crystal structures and thermoelectric properties of layered compounds in the ATe–Bi 2 Te 3 (A= Ge, Sn, Pb) systems." Inorganic materials 40.5 (2004): 451-460.

3，Shelimova, L. E., et al. "Solid solutions based on laminated chalcogenides of bismuth and lead in ternary reciprocal Pb, Bi|| Se, Te system." Inorganic Materials: Applied Research 6.4 (2015): 298-304.

4，Guin, Satya N., Ananya Banik, and Kanishka Biswas. "Thermoelectric energy conversion in layered metal Chalcogenides." 2d Inorganic Materials Beyond Graphene (2017): 239.