PbBi4Te7晶体_珈得尔化学试剂

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PbBi4Te7晶体

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Cas号：	--	M D L：	--
分子式：	--	分子量：	--

货号	品名	规格	包装	单价	货期	库存
JD200529091820	PbBi4Te7晶体	大于25毫克	--	5120元	咨询客服	3天
JD200529091804	PbBi4Te7晶体	大于10毫克	--	3120元	咨询客服	3天

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性状：

材料名称

Name

PbBi4Te7

性质分类

Electrical properties

红外半导体，拓扑绝缘体，热电材料

IR Semiconductor， TI
禁带宽度

Bangap

0.4 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度
Degree of difficulty for exfoliation

易

Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定，不需要特殊保存

Stable

质量标准：

参考文献

1，Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Electrical transport properties of SnBi4Te7 and PbBi4Te7 with different deviations from stoichiometry." Journal of Physics D: Applied Physics 34.5 (2001): 700.

2，Shelimova, L. E., et al. "Anisotropic thermoelectric properties of the layered compounds PbSb 2 Te 4 and PbBi 4 Te 7." Inorganic Materials 43.2 (2007): 125-131.