4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200529092610 | PbSb2Te4晶体 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200529092524 | PbSb2Te4晶体 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name PbSb2Te4 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，红外材料，热电材料 Topological Insulators Bangap 0.279 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy |
| 质量标准： | 参考文献 1，Menshchikova, Tatiana V., Sergey V. Eremeev, and Evgueni V. Chulkov. "Electronic structure of SnSb2Te4 and PbSb2Te4 topological insulators." Applied surface science 267 (2013): 1-3. 2， Shelimova, L. E., et al. "Thermoelectric Properties of Layered Anisotropic p-type PbSb2Te4 Compound and Peculiarities of its Energy Spectrum." 5th European Conference on Thermoelectrics, Odessa (Ukraine). 2007. |
