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货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
JD200529092956 | PbS晶体 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
JD200529092928 | PbS晶体 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
性状: | 材料名称 Name PbS 性质分类 Electrical properties
IR Semiconductor, Topological Material Bangap 0.5 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Notice Stable |
质量标准: | 参考文献 Zhou, S. M., Y. S. Feng, and L. D. Zhang. "Sonochemical synthesis of large-scale single-crystal PbS nanorods." Journal of materials research 18.5 (2003): 1188-1191. Petritz, Richard L., and Wayne W. Scanlon. "Mobility of electrons and holes in the polar crystal, PbS." Physical Review 97.6 (1955): 1620. |