4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200529095200 | SnBi2Te4晶体 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200529095200 | SnBi2Te4晶体 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name
性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，热电材料，红外材料 Topological Insulators Bangap 0.429 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy |
| 质量标准： | 参考文献 1，Vilaplana, R., et al. "Structural and electrical study of the topological insulator SnBi2Te4 at high pressure." Journal of Alloys and Compounds 685 (2016): 962-970. 2，Pan, Lin, et al. "Transport properties of the SnBi2Te4–PbBi2Te4 solid solution." Journal of Solid State Chemistry 225 (2015): 168-173. 3，Kuropatwa, Bryan A., Abdeljalil Assoud, and Holger Kleinke. "Effects of cation site substitutions on the thermoelectric performance of layered SnBi2Te4 utilizing the triel elements Ga, In, and Tl." Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 639.14 (2013): 2411-2420. |
