4007787550
|
 |
||||||||||||||
| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200529095650 | SnBi4Te7晶体 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200529095423 | SnBi4Te7晶体 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name
性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体,红外材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0.632 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation 中 Medium |
| 质量标准： | 参考文献 1，Vergniory, M. G., et al. "Bulk and surface electronic structure of SnBi4Te7 topological insulator." Applied surface science 267 (2013): 146-149. 2， Caillat, T., et al. "Synthesis and thermoelectric properties of some materials with PbBi4Te7 crystal structure." Proc. XIX Int. Conf. on Thermoelectrics. 2000. 3，Zhitinskaya, M. K., et al. "Transport phenomena in the anisotropic layered compounds MeBi 4 Te 7 (Me= Ge, Pb, Sn)." Semiconductors 46.10 (2012): 1256-1262. |
