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货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
JD200529105706 | TaNi2Te3晶体 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
JD200529105645 | TaNi2Te3晶体 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
性状: | 材料名称 Name
性质分类 Electrical properties
禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy Notice 晶体稳定 |
质量标准: | 参考文献 Huang, Jinling. "Structure of Nb/Ta layered ternary tellurides containing first row transition metal atoms." Science in China Series B: Chemistry 43.4 (2000): 337-347. |