4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200601105341 | Ta2NiS5 晶体 | 大于25平方毫米 | -- | 2720元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200601105253 | Ta2NiS5 晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 1900元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | TaNiS5 晶体 晶体大小： 3~10 mm 晶体种类： Magnetic semiconductor 纯度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 晶体生长方式： CVT 化学气相传输法 更多信息： 请咨询：sales@6carbon.com |
| 质量标准： | 参考文献 1， Sunshine, Steven A., and James A. Ibers. "Structure and physical properties of the new layered ternary chalcogenides tantalum nickel sulfide (Ta2NiS5) and tantalum nickel selenide (Ta2NiSe5)." Inorganic Chemistry 24.22 (1985): 3611-3614. 2，Di Salvo, F. J., et al. "Physical and structural properties of the new layered compounds Ta2NiS5 and Ta2NiSe5." Journal of the Less Common Metals 116.1 (1986): 51-61. 3， Larkin, T. I., et al. "Infrared phonon spectra of quasi-one-dimensional Ta 2 NiSe 5 and Ta 2 NiS 5." Physical Review B 98.12 (2018): 125113. 4， Yan, Bingzheng, et al. "Ternary chalcogenide Ta 2 NiS 5 as a saturable absorber for a 1.9 μm passively Q-switched bulk laser." Optics letters 44.2 (2019): 451-454. |
