材料
Sb2Te3薄膜
制造方法
CVD沉积

基底 沉积在蓝宝石和云母上，其他基底可以转移
特性 拓扑绝缘体薄膜，易氧化
厚度选择 最薄约5nm，最后50nm左右
注意事项 易氧化

参考文献

1，Kitamura, Masahito, et al. "Chemical Vapor Deposition GeTe/Sb2Te3 Super-Lattice Phase Change Memory." Int. Conf. Solid State Devices Mater. Fukuoka. 2013.

2，Sotor, J., et al. "Mode-locked erbium-doped fiber laser based on evanescent field interaction with Sb2Te3 topological insulator." Applied Physics Letters 104.25 (2014): 251112.