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| 性状： | 熔点 670 °C(lit.) 密度 5.6 g/mL at 25 °C(lit.) 形态gray orthorhombic crystals or brown powder |
| 质量标准： | 概述硒化锗一种正交晶系离子性晶体，具有稳定的半导体性能。硒化锗可由GeCl2与H2Se反应可制得。纯净的GeSe是由Ge粉末与Se粉末按合适比例熔合得到的。硒化锗分类根据晶型结构分类，可分为：α-GeSeβ-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化锗五种单层晶型，它们均表现出稳定的半导体特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-ChemicalbookGeSe和ε-GeSe晶型结构是间接带隙半导体材料,而α-GeSe是直接带隙半导体.β-GeSe单层材料适用于光催化分解水。 参考文献[1]http://www.chazidian.com/baike/477878/[2]张胜利,刘尚果,黄世萍,等.单层硒化锗多形体的结构特性和电子性质[J].ScienceChinaMaterials,2015(12). |
